美光1β製程DRAM量產就位


美光1β製程DRAM量產就位

美光1β是全球最先進的DRAM製程節點,象徵美光自2021年1α製程量產以來,市場領導地位再下一城。1β節點降低功耗約15%,提升位元密度超過35%,每顆晶粒容量可達16Gb。隨着LPDDR5X開始送樣,行動裝置生態系將率先受惠於1β製程DRAM所帶來的效能顯著提升,同時功耗更低。

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美光1β製程技術的單位位元功率更低,爲智慧型手機提供市場上最節能的記憶體技術。功耗降低關鍵在於1β節點LPDDR5X採用全新JEDEC增強型動態電壓與頻率調整核心技術(eDVFSC)。在DDR產品類別加入速率可高達3,200Mbps的eDVFSC可強化節能控制,根據獨特的最終用戶使用模式,提高電源使用效率。

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美光1β節點可將更高的記憶體容量塞入更小的空間內,從而降低每位元資料的成本。儘管業界已開始改用極紫外光(EUV)設備來克服技術挑戰,美光仍利用先進奈米制造能力與微影技術來跳過尚在新興階段的EUV技術,亦即應用美光先進多重曝光和浸潤式微影能力,以最高精確度做出這些微小的電路特徵。節點進一步縮小帶來容量提升,可讓智慧型手機和物聯網裝置等體積較小的裝置涵納更多記憶體。

爲了讓1β和1α製程發揮競爭優勢,美光過去幾年也積極推動卓越製造、提升工程技術能力、強化開創性研發。加速創新首先讓美光比競爭對手提前一年實現前所未有的1α節點量產,達成公司史上首次在DRAM和NAND Flash兩個領域同時居於市場領導地位。

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美光多年來投資數十億美元,將晶圓廠轉變爲先進、高度自動化、由人工智慧驅動的永續營運設施,其中也包括美光對日本廣島廠的擴大投資,廣島廠將以1β製程量產DRAM,臺灣廠區後續也會導入1β製程技術,而美光預計支援EUV技術的1γ奈米會在2024年之後進入量產。

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